Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 3.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101 ISP650P06NMXTSA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 24,98

(ekskl. moms)

Kr. 31,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 368 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 12,49Kr. 24,98
20 - 48Kr. 10,51Kr. 21,02
50 - 98Kr. 9,875Kr. 19,75
100 - 198Kr. 9,24Kr. 18,48
200 +Kr. 8,49Kr. 16,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
243-9277
Producentens varenummer:
ISP650P06NMXTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-223

Serie

ISP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon P-kanal lille signaltransistor har blyfri blybelægning. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er henholdsvis -3,7A og -60V. Den har meget lav modstandsværdi. Driftstemperaturen er mellem -55 og 150 grader C.

Overflademonteret teknologi

Tilgængelighed på logikniveau

Nem interface til mikrokontrollerenhed (MCU)

Hurtigt skift

lavine-robusthed

Relaterede links