Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.160,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.700,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 - 1000Kr. 2,16Kr. 2.160,00
2000 - 2000Kr. 2,052Kr. 2.052,00
3000 +Kr. 1,966Kr. 1.966,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
243-9269
Producentens varenummer:
ISP12DP06NMXTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.8A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-223

Serie

ISP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon P-kanal lille signaltransistor har blyfri blybelægning. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er henholdsvis -2,8 A og -60V. Den har meget lav modstandsværdi. Driftstemperaturen er mellem -55 og 150 grader C.

Overflademonteret teknologi

Tilgængelighed på logikniveau

Nem interface til mikrokontrollerenhed (MCU)

Hurtigt skift

lavine-robusthed

Relaterede links