Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101 ISP12DP06NMXTSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 32,90

(ekskl. moms)

Kr. 41,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 90 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 985 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 6,58Kr. 32,90
50 - 120Kr. 5,85Kr. 29,25
125 - 245Kr. 5,52Kr. 27,60
250 - 495Kr. 5,132Kr. 25,66
500 +Kr. 4,728Kr. 23,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
243-9271
Producentens varenummer:
ISP12DP06NMXTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.8A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-223

Serie

ISP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon P-kanal lille signaltransistor har blyfri blybelægning. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er henholdsvis -2,8 A og -60V. Den har meget lav modstandsværdi. Driftstemperaturen er mellem -55 og 150 grader C.

Overflademonteret teknologi

Tilgængelighed på logikniveau

Nem interface til mikrokontrollerenhed (MCU)

Hurtigt skift

lavine-robusthed

Relaterede links