Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 243-9279
- Producentens varenummer:
- ISP75DP06LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 24,61
(ekskl. moms)
Kr. 30,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 940 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 2,461 | Kr. 24,61 |
| 100 - 240 | Kr. 2,334 | Kr. 23,34 |
| 250 - 490 | Kr. 2,244 | Kr. 22,44 |
| 500 - 990 | Kr. 2,139 | Kr. 21,39 |
| 1000 + | Kr. 1,72 | Kr. 17,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9279
- Producentens varenummer:
- ISP75DP06LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | ISP | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie ISP | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon P-kanal lille signaltransistor har blyfri blybelægning. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er henholdsvis -1,1 A og -60V. Den har meget lav modstandsværdi. Driftstemperaturen er mellem -55 og 150 grader C.
Overflademonteret teknologi
Tilgængelighed på logikniveau
Nem interface til mikrokontrollerenhed (MCU)
Hurtigt skift
lavine-robusthed
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.8 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 3.7 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -2.8 A 40 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.29 A 150 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 990 mA 100 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 1.55 A 100 V Forbedring SOT-223, ISP