Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101 ISP75DP06LMXTSA1
- RS-varenummer:
- 243-9279
- Producentens varenummer:
- ISP75DP06LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 24,09
(ekskl. moms)
Kr. 30,11
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 950 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 2,409 | Kr. 24,09 |
| 100 - 240 | Kr. 2,281 | Kr. 22,81 |
| 250 - 490 | Kr. 2,192 | Kr. 21,92 |
| 500 - 990 | Kr. 2,094 | Kr. 20,94 |
| 1000 + | Kr. 1,69 | Kr. 16,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9279
- Producentens varenummer:
- ISP75DP06LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon P-kanal lille signaltransistor har blyfri blybelægning. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er henholdsvis -1,1 A og -60V. Den har meget lav modstandsværdi. Driftstemperaturen er mellem -55 og 150 grader C.
Overflademonteret teknologi
Tilgængelighed på logikniveau
Nem interface til mikrokontrollerenhed (MCU)
Hurtigt skift
lavine-robusthed
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 1 3 ben, SOT-223 ISP75DP06LMXTSA1
- Infineon P-Kanal 1 3 ben, SOT-223 ISP25DP06LMXTSA1
- Infineon P-Kanal 3 3 ben, SOT-223 ISP650P06NMXTSA1
- Infineon P-Kanal 2 3 ben, SOT-223 ISP12DP06NMXTSA1
- Infineon P-Kanal 190 mA 60 V SOT-223 ISP25DP06LMSATMA1
- Infineon P-Kanal 1 3 ben, SOT-223 ISP25DP06NMXTSA1
- Infineon P-Kanal 1 3 ben SIPMOS® BSP170PH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 2 3 ben SIPMOS® BSP613PH6327XTSA1
