Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.29 A 150 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP Nej ISP14EP15LMXTSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 1.106,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.382,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 1,106Kr. 1.106,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
235-4874
Producentens varenummer:
ISP14EP15LMXTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.29A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

ISP

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.38Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.6nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.2 mm

Længde

6.1mm

Højde

5.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS P-kanal MOSFET'er 150 V i SOT-223 hus repræsenterer den nye teknologi, der er målrettet til batteristyring, belastningsafbryder og beskyttelse mod omvendt polaritet. Den største fordel ved en P-kanal-enhed er reduktionen af designkompleksiteten i mellem- og laveffekts-applikationer. Dens nemme interface til MCU, hurtige skift samt lavine-robusthed gør den velegnet til krævende anvendelser i høj kvalitet. Den fås i logikniveau med et bredt RDS-område (til) og forbedrer effektiviteten ved lave belastninger pga. lav QG. Den bruges til batteristyring, industriel automatisering.

Velegnet til høj og lav skiftefrekvens

Lavinerobusthed

Overflademonteret hus i industristandard

Robust, pålidelig ydeevne

Øget forsyningssikkerhed

Relaterede links