Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.7 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.111,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.888,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 1,037Kr. 3.111,00
6000 - 6000Kr. 1,01Kr. 3.030,00
9000 +Kr. 0,985Kr. 2.955,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0539
Producentens varenummer:
BSR802NL6327HTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.7A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSR

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør denne Optimos 2 småsignal-transistor. Det er en P-kanal, transistor i forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

Logikniveau (4,5V normeret)

Lavine-klassificeret og 100% blyfri

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links

Recently viewed