Infineon N-Kanal, MOSFET, 3.7 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.982,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.476,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 1,994Kr. 5.982,00
6000 - 6000Kr. 1,895Kr. 5.685,00
9000 +Kr. 1,842Kr. 5.526,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0539
Producentens varenummer:
BSR802NL6327HTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.7A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-223

Serie

BSR

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

32mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør denne Optimos 2 småsignal-transistor. Det er en P-kanal, transistor i forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

Logikniveau (4,5V normeret)

Lavine-klassificeret og 100% blyfri

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.