Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 827-0134
- Producentens varenummer:
- BSS215PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 250 enheder)*
Kr. 309,75
(ekskl. moms)
Kr. 387,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 7.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | Kr. 1,239 | Kr. 309,75 |
| 500 - 1000 | Kr. 0,929 | Kr. 232,25 |
| 1250 - 2250 | Kr. 0,867 | Kr. 216,75 |
| 2500 - 6000 | Kr. 0,805 | Kr. 201,25 |
| 6250 + | Kr. 0,743 | Kr. 185,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-0134
- Producentens varenummer:
- BSS215PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.6nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 1.18 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 540 mA 55 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 190 mA 100 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101