Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 250 enheder)*

Kr. 281,50

(ekskl. moms)

Kr. 352,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
250 - 250Kr. 1,126Kr. 281,50
500 - 1000Kr. 0,844Kr. 211,00
1250 - 2250Kr. 0,788Kr. 197,00
2500 - 6000Kr. 0,732Kr. 183,00
6250 +Kr. 0,676Kr. 169,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
827-0134
Producentens varenummer:
BSS215PH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.18A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

OptiMOS P

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.6nC

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Portkildespænding maks.

-12V, +12V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.3mm

Højde

1mm

Længde

2.9mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 280 mΩ maksimal drain source-modstand - BSS215PH6327XTSA1


Denne MOSFET er en P-kanalforstærkningstransistor, der er beregnet til overflademonterede anvendelser i krævende elektroniske systemer. Den giver kontrolleret koblingsfunktionalitet til lavspændingskredsløb, der fungerer over et bredt omgivende område, der passer til bil- og industrielle forhold, og er indkapslet i et kompakt SOT-23-hus til pladsbegrænsede design.

Egenskaber og fordele:


• Lav modstand ved tænding på 280 mΩ reducerer ledningstab og varmeafledningsbehov
• Maksimal afløbsstrøm på 1,18 A understøtter moderat belastningsswitching-kapacitet
• Drain-source mærkespænding på 20 V muliggør sikker drift i 12 V-systemer
• Typisk gate-opladning på 3,6 nC muliggør hurtigere omskiftning med lavere drevenergi
• Effekttab på 500 mW begrænser termisk belastning i design med lavt strømforbrug
• Nominel gate-source-tolerance på 12 V sikrer modstandsdygtighed over for gateoverdrev

Anvendelser


• Velegnet til high-side-switching i batteristyringssystemer
• Ideel til belastningsafbrydelse i bilhjælpskredsløb
• Anvendes til DC-DC-konverterstyring i kompakte strømforsyninger
• Kan bruges til beskyttelse mod omvendt polaritet i 12 V installationer
• Velegnet til skift af signalniveau i sensorinterfacemoduler

Hvilket temperaturområde kan den tolerere under drift?


Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C og passer til ekstreme termiske miljøer.

Hvordan er enheden pakket til montering på printkort?


Den leveres i en SOT-23-pakke til overflademontering, der er designet til automatiseret PCB-placering og lodning.

Hvilke overvejelser skal jeg tage hensyn til gate-drevet?


Enheden accepterer op til 12 V mellem gate og kilde

sikrer, at gate-drive-kredsløb begrænser udsving inden for denne tærskel.

Er enheden velegnet til bilkvalifikation?


Den opfylder AEC-Q101-standarder, der er egnede til mange elektroniske designs inden for biler.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.