Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.782,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.226,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,594Kr. 1.782,00
6000 - 12000Kr. 0,564Kr. 1.692,00
15000 +Kr. 0,528Kr. 1.584,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-8833
Producentens varenummer:
BSS316NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.4A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

OptiMOS 2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.6nC

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gennemgangsspænding Vf

800mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

900μm

Længde

2.9mm

Bredde

1.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS 2 seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 1,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS316NH6327XTSA1


Denne n-kanals MOSFET er en overflademonteret koblingstransistor, der er designet til lavspændingsstrømstyring i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer som en forstærkningsenhed, der er velegnet til koblings- og styringsopgaver i bil- og industrielle sammenhænge, med en gate-source mærkespænding, der muliggør robuste drevmargener til typiske styringskredsløb.

Egenskaber og fordele:


• Lav modstand ved tænding giver effektiv ledning og reducerede tab
• 30 V drain-source-klassificering understøtter almindelige lavspændingssystemer
• 1,4 A kontinuerlig strømkapacitet håndterer moderate belastninger
• 0.6 nC typisk gate-ladning muliggør hurtige skifteovergange
• 500 mW maks. effekttab passer til snævre termiske rammebeløb
• AEC-Q101-kvalifikation giver pålidelighedskriterier i bilindustrien

Anvendelser


• Velegnet til lavspændingsswitching i biler
• Ideel til belastningspunktkonvertering i kompakt elektronik
• Anvendes sammen med batteridrevne systemer, der kræver lille formfaktor
• Kan bruges til gate-styring af motordrev i små aktuatorer
• Velegnet til strømstyring på tætbefolkede kort

Hvilket temperaturområde kan den modstå under drift?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i brede temperaturmiljøer.

Hvor mange elektriske forbindelser præsenterer den for kortet?


Den bruger en trebenet konfiguration, der er kompatibel med standard SOT-23 jordmønstre til overflademontering.

Hvilken maksimal spænding skal anvendes mellem gate og kilde?


Gate-til-kilde-mærkespændingen er 20 V, hvilket definerer den sikre maksimale gate-drive-amplitude.

Hvilke hensyn til pakkehøjde og bundareal påvirker layouten?


Pakken har en lav profil med en højde på 0,9 mm og et rektangulært bundareal på 2,9 x 1,3 mm til kompakte printkortdesign.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.