Infineon N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 165-5732
Producentens varenummer:: BSS123NH6433XTMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 10000 enheder)*

Kr. 2.730,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.410,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 04. marts 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
10000 +	Kr. 0,273	Kr. 2.730,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5732
Producentens varenummer:: BSS123NH6433XTMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	190mA
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	10Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf	800mV
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.6nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	2.9mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.3mm
	Højde	1mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190mA
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype SOT-23
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 10Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf 800mV
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 2.9mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.3mm
	Højde 1mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 10 Ω maksimal drain source-modstand - BSS123NH6327XTSA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til koblings- og styringsopgaver i kompakte elektroniske enheder. Den er beregnet til brug over et bredt termisk område og i anvendelser, hvor lav koblingsladning og forsigtig strømhåndtering er påkrævet. Enheden leveres i et SOT-23-hus til nem PCB-montering og er velegnet til miljøer, der kræver robusthed af komponenter i bilkvalitet.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 10 Ω Rds(on) forenkler beskyttelse mod lavt strømforbrug og strømbegrænsning
• 0,6 nC typisk gate-ladning minimerer koblingstab
• 190 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter styring af let belastning
• 20 V mærkespænding for gate muliggør kompatibilitet med almindelige drevniveauer
• 500 mW effekttab håndterer beskedne termiske belastninger

Anvendelser

• Velegnet til batteristyring af sensorkredsløb
• Ideel til omskiftning af lavstrømsbelastning i styremoduler
• Anvendes sammen med niveauskiftningsinterfaces i systemer med blandet spænding
• Kan bruges til signalisolering i eksterne enheder til biler
• Velegnet til termisk begrænsede strømfordelingsnetværk

Hvilke temperaturforhold kan den tåle under drift?

Den fungerer i et bredt område fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med både koldstart og høj varme.

Hvilken montering og benkonfiguration bruger den?

Den leveres som en 3-benet SOT-23-pakke til overflademontering, der er optimeret til automatiseret printmontering og små formfaktorlayouter.

Hvordan påvirker dens konstruktion valg til bilprojekter?

Enheden opfylder en stressteststandard for biler, hvilket gør den velegnet, hvor komponenter skal tåle krav til bilkvalitet.

Hvordan skal varmeafledning styres på et printkort?

Med en 500 mW tabsgrænse skal designere give et tilstrækkeligt kobberareal eller termiske ledninger til at sprede varme og opretholde forbindelsestemperaturer inden for sikre grænser.