Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 892-2377
- Producentens varenummer:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (100 enheder, i en pakke med 100)*
Kr. 112,40
(ekskl. moms)
Kr. 140,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 3.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 1,124 | Kr. 112,40 |
| 500 - 900 | Kr. 1,067 | Kr. 106,70 |
| 1000 - 2400 | Kr. 1,023 | Kr. 102,30 |
| 2500 - 4900 | Kr. 0,978 | Kr. 97,80 |
| 5000 + | Kr. 0,619 | Kr. 61,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 892-2377
- Producentens varenummer:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 230mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.9nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 230mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.9nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 1,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS314PEH6327XTSA1
Egenskaber og fordele:
• 230 mΩ Rds(on) giver effektiv ledning til små belastninger
• 1,5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate strømbaner
• 2,9 nC typisk gate-ladning reducerer koblingsenergitab
• 20 V maks. gate-source-klassificering giver mulighed for fleksible gate-drevmargener
• Automotive AEC-Q101-kvalifikation passer til anvendelser i køretøjsklasse
Anvendelser
• Ideel til belastningsswitching i bilstyringsmoduler
• Anvendes sammen med strømskinner i håndholdt og bærbar elektronik
• Kan bruges til småsignal-strømkobling i sensornoder
• Velegnet til overflademonterede konstruktioner, hvor kortpladsen er begrænset
Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere under drift?
Hvordan påvirker pakken integrationen på kortniveau?
Hvilke strømstyrkebegrænsninger skal designere overveje?
Hvilken elektrisk grænse styrer valg af gate-drev?
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.18 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 540 mA 55 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
