Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101 BSS806NH6327XTSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.617,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.022,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,539Kr. 1.617,00
6000 - 12000Kr. 0,512Kr. 1.536,00
15000 +Kr. 0,479Kr. 1.437,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5868
Producentens varenummer:
BSS806NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

82mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Længde

2.9mm

Bredde

1.3 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™ MOSFET i 2-serien, 2,3A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 500 mW maksimal effektafledning - BSS806NH6327XTSA1


Denne MOSFET er skræddersyet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske applikationer og understøtter en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 2,3 A og en maksimal drain-kildespænding på 20 V. Dens lave modstand hjælper med at minimere energitab, hvilket gør den velegnet til applikationer, der kræver en høj grad af sikkerhed under strenge forhold.

Egenskaber og fordele


• N-kanal-konfiguration forbedrer switching-ydelsen

• Forbedringstilstand reducerer lækage i off-state

• Kompatibel med ultralogikniveau, velegnet til 1,8 V-applikationer

• Integreret lavineklassificering forbedrer robustheden under stress

• AEC-Q101-kvalificeret til bilindustrien sikrer langvarig ydeevne

• Overflademonteret design gør det nemt at integrere i kompakte kredsløb

Anvendelsesområder


• Ideel til strømstyring i bilelektronik

• Bruges til at drive lavspændingsbelastninger i automatiseringssystemer

• Velegnet til at skifte i strømforsyninger

• Designet til driftsmiljøer med høje temperaturer

Kan det bruges i bilindustrien?


Ja, den er AEC-Q101-kvalificeret, hvilket sikrer, at den er egnet til bilmiljøer.

Hvad er driftstemperaturområdet?


Driftstemperaturområdet ligger mellem -55 °C og +150 °C.

Hvordan påvirker dens RDS(on)-værdi kredsløbets ydeevne?


En lav RDS(on)-værdi reducerer strømtabet under drift og forbedrer den samlede effektivitet.

Hvad er betydningen af dens gate-tærskelspænding?


Gate-tærskelspændingen angiver, hvornår MOSFET'en begynder at lede, hvilket er afgørende for styringen af switch-timingen.

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET serien


Infineons OptiMOS™2 N-kanal-serie har branchens laveste modstand i ledetilstand inden for deres spændingsgruppe. Power MOSFET serien kan bruges til mange formål herunder højfrekvent telekommunikation, datakommunikation, solceller, lavvolts-drev og server-strømforsyninger. OptiMOS 2 produktserien dækker fra 20 V og derover samt har et udvalg af forskellige hustyper.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links