Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 826-9412
- Producentens varenummer:
- BSS316NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 250 enheder)*
Kr. 276,00
(ekskl. moms)
Kr. 345,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.750 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | Kr. 1,104 | Kr. 276,00 |
| 500 - 1000 | Kr. 1,048 | Kr. 262,00 |
| 1250 - 2250 | Kr. 0,737 | Kr. 184,25 |
| 2500 + | Kr. 0,70 | Kr. 175,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9412
- Producentens varenummer:
- BSS316NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET serien
Infineons OptiMOS™2 N-kanal-serie har branchens laveste modstand i ledetilstand inden for deres spændingsgruppe. Power MOSFET serien kan bruges til mange formål herunder højfrekvent telekommunikation, datakommunikation, solceller, lavvolts-drev og server-strømforsyninger. OptiMOS 2 produktserien dækker fra 20 V og derover samt har et udvalg af forskellige hustyper.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 540 mA 55 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 190 mA 100 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.18 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101