onsemi N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NVR5198NL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 184-1444
- Producentens varenummer:
- NVR5198NLT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 30,38
(ekskl. moms)
Kr. 37,97
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.975 enhed(er) afsendes fra 04. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 1,215 | Kr. 30,38 |
| 100 - 225 | Kr. 1,047 | Kr. 26,18 |
| 250 - 475 | Kr. 0,91 | Kr. 22,75 |
| 500 - 975 | Kr. 0,802 | Kr. 20,05 |
| 1000 + | Kr. 0,724 | Kr. 18,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-1444
- Producentens varenummer:
- NVR5198NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | NVR5198NL | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 205mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.1nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Højde | 1.01mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie NVR5198NL | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 205mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.1nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4mm | ||
Højde 1.01mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Automotive Power MOSFET. 60 V, 155 mOhm, enkelt N-kanal logikniveau, SOT-23.
Hus I Lille Fodstykke Til Overflademontering Sot−23 Standard
Lav RDS(on) for lavt Ledningstab og Forbedret Effektivitet
Anvendelsesområder:
Afbalancering Af Li-Ion-Celle
Belastningsomskifter