onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, 2N7000
- RS-varenummer:
- 184-4156
- Producentens varenummer:
- 2N7000-D26Z
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 1.368,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.710,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | Kr. 0,684 | Kr. 1.368,00 |
| 6000 - 8000 | Kr. 0,666 | Kr. 1.332,00 |
| 10000 + | Kr. 0,65 | Kr. 1.300,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-4156
- Producentens varenummer:
- 2N7000-D26Z
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | 2N7000 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.88V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.33mm | |
| Længde | 5.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie 2N7000 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.88V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.33mm | ||
Længde 5.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Disse N-kanal Mosfet'er Med Lille signal er fremstillet ved hjælp af ON Semiconductors navnebeskyttet DMOS-teknologi med høj celletæthed. Disse produkter er designet til at minimere modstand i tilstanden og samtidig give robust, pålidelig og hurtig skifteevne. De kan bruges i de fleste anvendelser, der kræver op til 400 mA DC, og kan levere impulsstrøm op til 2 A. Disse produkter er særligt velegnede til anvendelser med lav spænding og lav strøm.
Spændingsstyret Kontakt Til Lille Signal
Mulighed For Høj Mætningsstrøm
Robust og pålidelig
Tætpakket celledesign til lav RDS (TIL)
Anvendelsesområder
Styring Af Lille Servomotor
Power Mosfet Gate-Drivere
Assorterede Switching-Programmer
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring TO-92, 2N7000
- Microchip Type N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring TO-92, 2N7000
- onsemi 1 Type N-Kanal Enkelt 0.5 A 60 V N TO-92, BS170
- onsemi Type N-Kanal 500 mA 60 V Forbedring TO-92, BS170
- onsemi N-Kanal 200 mA 60 V TO-92 2N7000TA
- onsemi Type N-Kanal 400 mA 60 V Forbedring TO-92, BS270
- onsemi Type N-Kanal 0.3 A 600 V Forbedring TO-92, QFET
- onsemi Type N-Kanal 92 A 150 V Forbedring TO-263, PowerTrench