onsemi N-Kanal, MOSFET, 2,9 A 30 V, 6 ben, WDFN FDMA2002NZ

Denne enhed er designet specifikt som en enkelt pakkeløsning til krav om dobbelt omskiftning i håndsæt til mobiltelefoner og andre ultrabærbare anvendelser. Den har to uafhængige N-kanal MOSFET'er med lav modstand i tændt tilstand for minimalt ledningstab. MicroFET 2x2 har en fremragende termisk ydeevne til den fysiske størrelse og er velegnet til lineære anvendelser.

2,9 A, 30 V.
RDS(ON) = 123 MΩ VED VGS = 4,5 V.
RDS(ON) = 140 MΩ VED VGS = 3,0 V.
RDS(ON) = 163 MΩ VED VGS = 2,5 V.
Lav profil - 0,8 mm maks. - i det nye hus MicroFET 2x2 mm
HBM ESD-beskyttelsesniveau = 1,8 kV (note 3)
Fri for halogenerede forbindelser og antimonoxider
Anvendelsesområder
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige anvendelser