onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 554.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN, NTMTS0D6N04CL Nej NTMTS0D6N04CLTXG
- RS-varenummer:
- 186-1352
- Producentens varenummer:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 57,52
(ekskl. moms)
Kr. 71,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 28,76 | Kr. 57,52 |
| 20 - 198 | Kr. 24,835 | Kr. 49,67 |
| 200 - 998 | Kr. 21,505 | Kr. 43,01 |
| 1000 - 1998 | Kr. 18,885 | Kr. 37,77 |
| 2000 + | Kr. 17,205 | Kr. 34,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-1352
- Producentens varenummer:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 554.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NTMTS0D6N04CL | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 660μΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 126nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245.4W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bredde | 8 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 554.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NTMTS0D6N04CL | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 660μΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 126nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245.4W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 1.15mm | ||
Bredde 8 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
Lille sokkel (8x8 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Disse enheder er blyfri, halogenfri/BFR-fri
Typiske anvendelser
El-Værktøj, Batteridrevne Støvsugere
Uav/Drones, Materialehåndtering
Bms/Storage, Hjemmeautomatisering
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 554 8 ben, DFNW8 NTMTS0D6N04CLTXG
- onsemi N-Kanal 533 A. 40 V DFNW8 NTMTS0D6N04CTXG
- onsemi N-Kanal 420 A 40 V DFNW8 AEC-Q101 NVMTS0D7N04CTXG
- onsemi N-Kanal 533 A. 40 V DFNW8 AEC-Q101 NVMTS0D6N04CTXG
- onsemi N-Kanal 433 A 40 V DFNW8 AEC-Q101 NVMTS0D7N04CLTXG
- onsemi N-Kanal 553 8 ben, DFNW8 AEC-Q101 NVMTS0D4N04CLTXG
- onsemi N-Kanal 398 8 ben, DFNW8 NTMTS001N06CLTXG
- onsemi N-Kanal 165 A 150 V DFNW8 NVMTS4D3N15MC
