onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 186-1355P
- Producentens varenummer:
- NTP110N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Indhold 2 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 33,55
(ekskl. moms)
Kr. 41,938
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 740 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 + | Kr. 16,775 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-1355P
- Producentens varenummer:
- NTP110N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 62nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 16.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 62nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 16.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor er SUPERFET III MOSFET meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede omvendte genopretningsevne for husdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V ved TJ = 150 °C
Ultralav Gateopladning (Typ. QG = 62 bryde)
Lav Effektiv Udgangskapacitet (Typ. USS (eff.) = 522 pF)
Optimeret kapacitet
Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
Lavere skiftetab
Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder
Telekommunikation
Cloud-system
Industriel
Slutprodukter
Telekommunikations-strøm
Serverstrøm
Elbil-lader
Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)