onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 1 A 100 V, 6 Ben, TSOT-23 Nej FDC3601N
- RS-varenummer:
- 186-8997
- Producentens varenummer:
- FDC3601N
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 76,35
(ekskl. moms)
Kr. 95,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 3,054 | Kr. 76,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-8997
- Producentens varenummer:
- FDC3601N
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TSOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 550mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Bredde | 3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.1mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TSOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 550mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Bredde 3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.1mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Disse 100 V specificerede MOSFET'er i N-kanal produceres ved hjælp af en Advanced PowerTrench-proces, der er specielt skræddersyet til at minimere modstand i tilstanden og alligevel opretholde lav gate-opladning for overlegen skifteevne. Disse enheder er designet til at give enestående effekttab i et meget lille format til anvendelser, hvor de større og dyrere SO-8- og TSSOP-8-huse er upraktiske.
1,0 A, 100 V.
RDS(on) = 500 mΩ ved VGS = 10 V.
RDS(on) = 550 mΩ ved VGS = 6 V.
Lav gate-opladning (typisk 3,7 nC)
Hurtig koblingshastighed
Højtydende dæmpningsteknologi giver ekstremt lav RDS (TIL)
SuperSOT™ -6 hus: Lille bundareal 72% (mindre end standard SO-8), lav profil (1 mm tyk)
Anvendelsesområder
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.