onsemi, MOSFET, 6 ben, TSOT-23 FDC3601N

Disse 100 V specificerede MOSFET'er i N-kanal produceres ved hjælp af en Advanced PowerTrench-proces, der er specielt skræddersyet til at minimere modstand i tilstanden og alligevel opretholde lav gate-opladning for overlegen skifteevne. Disse enheder er designet til at give enestående effekttab i et meget lille format til anvendelser, hvor de større og dyrere SO-8- og TSSOP-8-huse er upraktiske.

1,0 A, 100 V.
RDS(on) = 500 mΩ ved VGS = 10 V.
RDS(on) = 550 mΩ ved VGS = 6 V.
Lav gate-opladning (typisk 3,7 nC)
Hurtig koblingshastighed
Højtydende dæmpningsteknologi giver ekstremt lav RDS (TIL)
SuperSOT™ -6 hus: Lille bundareal 72% (mindre end standard SO-8), lav profil (1 mm tyk)
Anvendelsesområder
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.