Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN
- RS-varenummer:
- 188-4960P
- Producentens varenummer:
- SiSS92DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 735,30
(ekskl. moms)
Kr. 919,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 7,353 |
| 250 - 490 | Kr. 6,365 |
| 500 - 990 | Kr. 4,862 |
| 1000 + | Kr. 3,964 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4960P
- Producentens varenummer:
- SiSS92DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS92DN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.78mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS92DN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.78mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® med ThunderFET-teknologi optimerer balancen mellem RDS(on), Qg, Qsw og Qoss
Lederskab RDS(on) og RDS-Cass FOM