Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SiHP22N60EF Nej SIHP22N60EF-GE3
- RS-varenummer:
- 188-4996
- Producentens varenummer:
- SIHP22N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 142,87
(ekskl. moms)
Kr. 178,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 4.685 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 28,574 | Kr. 142,87 |
| 25 - 45 | Kr. 25,702 | Kr. 128,51 |
| 50 - 120 | Kr. 24,296 | Kr. 121,48 |
| 125 - 245 | Kr. 22,858 | Kr. 114,29 |
| 250 + | Kr. 21,452 | Kr. 107,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4996
- Producentens varenummer:
- SIHP22N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SiHP22N60EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 182mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.01mm | |
| Længde | 10.51mm | |
| Bredde | 4.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SiHP22N60EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 182mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.01mm | ||
Længde 10.51mm | ||
Bredde 4.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
EF-serien Power MOSFET med Fast Body Diode.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav indgangskapacitet (Ciss)
Færre skift og ledningstab
ANVENDELSER
Strømforsyninger til server og telekom
Switch-mode strømforsyning (SMPS)
Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V TO-220AB SIHP22N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 21 A 600 V TO-220AB SIHP155N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 41 A 600 V TO-220AB, SiHP068N60EF SIHP068N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 48 A 600 V TO-220AB, SiHP052N60EF SIHP052N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 600 V TO-220AB, E Series SIHP065N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V TO-247AC SIHG22N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V TO-220 SIHA22N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V D2PAK (TO-263) SIHB22N60EF-GE3