Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Forbedring, 4 Ben, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 134-9170
- Producentens varenummer:
- SIHP065N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.534,90
(ekskl. moms)
Kr. 1.918,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 30,698 | Kr. 1.534,90 |
| 100 + | Kr. 29,932 | Kr. 1.496,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 134-9170
- Producentens varenummer:
- SIHP065N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.49mm | |
| Længde | 10.51mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.49mm | ||
Længde 10.51mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, E-serien, lavt Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
E-serien Power MOSFET'er fra Vishay er højspændingstransistorer med meget lav maksimal modstand ved tændt, lav figure-of-merit og hurtigt skift. De findes i et bredt udvalg af mærkestrømme. Typiske anvendelser omfatter servere og strømforsyninger til telekommunikation, LED-belysning, flyback-konvertere, effektfaktorkorrektion (PFC) og switch-mode strømforsyninger (SMPS).
Funktioner
Lavt figure-of-Merit (FOM) RDS(on) x Qg
Lav indgangskapacitet (Ciss)
Lav modstand ved tændt (RDS(on))
Meget lav portopladning (Qg)
Hurtigt skift
Færre skift og ledningstab
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 30 A 600 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 7.5 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-220, E