Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SUM60020E
- RS-varenummer:
- 188-5107
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-856
- Producentens varenummer:
- SUM60020E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 195,68
(ekskl. moms)
Kr. 244,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 430 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 39,136 | Kr. 195,68 |
| 50 - 120 | Kr. 32,478 | Kr. 162,39 |
| 125 - 245 | Kr. 31,312 | Kr. 156,56 |
| 250 - 495 | Kr. 28,618 | Kr. 143,09 |
| 500 + | Kr. 27,002 | Kr. 135,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5107
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-856
- Producentens varenummer:
- SUM60020E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SUM60020E | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 151.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SUM60020E | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 151.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Maksimal temperatur ved 175 °C saltbro
Meget lav Qgd reducerer effekttab ved at passere gennem Vplateau
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, SUM60020E
- Vishay Type P-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-263, SUM40012EL
- Vishay Type N-Kanal 150 A 100 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 150 A 200 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 150 A 100 V Forbedring TO-263-7L, SUM
- Vishay Type N-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-220, SUP60020E
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3