Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SUM40012EL
- RS-varenummer:
- 188-5088
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-855
- Producentens varenummer:
- SUM40012EL-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 100,31
(ekskl. moms)
Kr. 125,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 25 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,062 | Kr. 100,31 |
| 50 - 120 | Kr. 17,07 | Kr. 85,35 |
| 125 - 245 | Kr. 16,052 | Kr. 80,26 |
| 250 - 495 | Kr. 15,064 | Kr. 75,32 |
| 500 + | Kr. 14,018 | Kr. 70,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5088
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-855
- Producentens varenummer:
- SUM40012EL-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SUM40012EL | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 130nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SUM40012EL | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 130nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Maksimal temperatur ved 175 °C saltbro
Fremragende RDS-Qg og RDS-Qoss FOM reducerer strømtabet fra ledningsevne og switching for at muliggøre høj effektivitet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-263, SUM40012EL
- Vishay Type N-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, SUM60020E
- Vishay Type N-Kanal 150 A 100 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 150 A 200 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 150 A 100 V Forbedring TO-263-7L, SUM
- Vishay N-kanal-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay N-kanal-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-263, E Series
- Vishay Type P-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, TrenchFET
