STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 188-8283
- Producentens varenummer:
- STB43N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 43.425,00
(ekskl. moms)
Kr. 54.281,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 43,425 | Kr. 43.425,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8283
- Producentens varenummer:
- STB43N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 630mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.37mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 630mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.37mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Denne enhed er en N-kanal Power MOSFET baseret på den innovative vertikale procesteknologi MDmesh™ M5 kombineret med det velkendte PowerMESH™ horisontale layout. Det resulterende produkt har ekstremt lav modstand, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver høj effekt og overlegen effektivitet.
Ekstremt lav RDS (til)
Lav gate-opladning og indgangskapacitet
Fremragende skifteevne
Anvendelsesområder
Skift af programmer
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M2
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M2
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M5