STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 9.963,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.454,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 9,963Kr. 9.963,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-8284
Producentens varenummer:
STB80NF55-06T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

142nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.37mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.35 mm

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Power MOSFET er den seneste udvikling af STMicroelectrionis unikke "Single Feature size™" strip-baserede proces. Den resulterende transistor viser ekstremt høj pakketæthed for lav modstand, robuste lavinekarakteristika og mindre kritiske justeringstrin, hvilket er en bemærkelsesværdig reproducerbarhed i produktionen.

Fremragende dv/dt-funktionalitet

Anvendelsesorienteret karakteristik

Anvendelsesområder

Skift program

Anvendelsesområder

Skift program

Relaterede links