STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 188-8440P
- Producentens varenummer:
- STD5N80K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 86,89
(ekskl. moms)
Kr. 108,61
(inkl. moms)
Tilføj 60 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 4.670 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 + | Kr. 8,689 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8440P
- Producentens varenummer:
- STD5N80K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.73Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.17mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.73Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.17mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne N-kanal Power MOSFET med meget høj spænding er designet med MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ lodret struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion i modstand og ultralav gate-opladning til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.
Branchens laveste RDS(on)x-område
Branchens bedste FOM (figur af fortjeneste)
Ultralav gate-opladning
Zener-beskyttet
Anvendelsesområder
Skift af programmer