STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 650 V Forbedring, 3 Ben, IPAK Nej STD5NM60T4

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 38,07

(ekskl. moms)

Kr. 47,59

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 115 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 7,614Kr. 38,07
10 - 95Kr. 6,522Kr. 32,61
100 - 495Kr. 5,056Kr. 25,28
500 - 995Kr. 4,294Kr. 21,47
1000 +Kr. 3,56Kr. 17,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-8455
Producentens varenummer:
STD5NM60T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

IPAK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

6.2mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.4 mm

Længde

6.6mm

Bilindustristandarder

Nej

MDmesh™ er en ny revolutionerende Power MOSFET-teknologi, der forbinder processen med flere afløb med virksomhedens horisontale PowerMESH™-layout. Det resulterende produkt har en enestående lav modstand, imponerende høj dv/dt og fremragende lavine-egenskaber. Anvendelsen af virksomhedens egen båndteknik giver en samlet dynamisk præstation.

Lav indgangskapacitet og gate-opladning

Høj dv/dt og lavine-funktionalitet

Lav indgangsmodstand for gate

Anvendelsesområder

Skift af programmer

Relaterede links