STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 650 V Forbedring, 3 Ben, IPAK
- RS-varenummer:
- 188-8455
- Producentens varenummer:
- STD5NM60T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 38,07
(ekskl. moms)
Kr. 47,59
(inkl. moms)
Tilføj 80 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 115 enhed(er) afsendes fra 24. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 7,614 | Kr. 38,07 |
| 10 - 95 | Kr. 6,522 | Kr. 32,61 |
| 100 - 495 | Kr. 5,056 | Kr. 25,28 |
| 500 - 995 | Kr. 4,294 | Kr. 21,47 |
| 1000 + | Kr. 3,56 | Kr. 17,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8455
- Producentens varenummer:
- STD5NM60T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 6.2mm | |
| Bredde | 2.4 mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 6.2mm | ||
Bredde 2.4 mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MDmesh™ er en ny revolutionerende Power MOSFET-teknologi, der forbinder processen med flere afløb med virksomhedens horisontale PowerMESH™-layout. Det resulterende produkt har en enestående lav modstand, imponerende høj dv/dt og fremragende lavine-egenskaber. Anvendelsen af virksomhedens egen båndteknik giver en samlet dynamisk præstation.
Lav indgangskapacitet og gate-opladning
Høj dv/dt og lavine-funktionalitet
Lav indgangsmodstand for gate
Anvendelsesområder
Skift af programmer
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 650 V Forbedring IPAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1.85 A 1 kV Forbedring IPAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring IPAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 600 V Forbedring IPAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring IPAK, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring IPAK (TO-251), MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 138 A 650 V Forbedring MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring PowerFLAT, SCTL35N65G2V