STMicroelectronics Type N-Kanal, MDmesh Power MOSFET, 11 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STB11NM80
- RS-varenummer:
- 188-8461
- Producentens varenummer:
- STB11NM80T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 117,21
(ekskl. moms)
Kr. 146,512
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 58,605 | Kr. 117,21 |
| 20 - 48 | Kr. 52,695 | Kr. 105,39 |
| 50 + | Kr. 43,235 | Kr. 86,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8461
- Producentens varenummer:
- STB11NM80T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MDmesh Power MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | STB11NM80 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.86V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 4.37mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MDmesh Power MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie STB11NM80 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.86V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 4.37mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Disse N-kanal Power MOSFET'er er udviklet ved hjælp af STMicroelectronics' revolutionerende MDmesh™-teknologi, som forbinder processen med flere drænprocesser med virksomhedens horisontale PowerMESH™-layout. Disse enheder har ekstremt lav modstand, høj dv/dt og fremragende lavine-egenskaber. Disse Power MOSFET'er anvender ST's patenterede stripteknik og har en samlet dynamisk ydeevne, der er bedre end tilsvarende produkter på markedet.
Lav indgangskapacitet og gate-opladning
Lav indgangsmodstand for gate
Branchens bedste RDS(on) Qg
Anvendelsesområder
Skift af programmer
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-263, STB11NM80
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-263 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh