STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 7 A 710 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 188-8467
- Producentens varenummer:
- STD8N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 10%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 117,59
(ekskl. moms)
Kr. 146,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 23,518 | Kr. 117,59 | - |
| 50 - 120 | Kr. 21,154 | Kr. 105,77 | 10% |
| 125 + | Kr. 17,324 | Kr. 86,62 | 26% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8467
- Producentens varenummer:
- STD8N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 710V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.17mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 710V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.17mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.2mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Disse enheder er N-kanal MDmesh™ V Power MOSFET'er baseret på en innovativ vertikal procesteknologi, som kombineres med STMicroelectronics' velkendte PowerMESH™ horisontale layoutstruktur. Det resulterende produkt har ekstremt lav modstand, hvilket ikke findes blandt silikonebaserede Power MOSFET'er, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og enestående effektivitet.
Verdens bedste RDS-område (til)
Højere VDSSrating
Høj DV/DT kapacitet
Fremragende skifteevne
Nem at køre
Anvendelsesområder
Skift af programmer
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 710 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 710 V Forbedring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 710 V Forbedring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 650 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 58 A 710 V Forbedring TO-3PF, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5