STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 710 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej STD8N65M5

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 52,51

(ekskl. moms)

Kr. 65,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 10,502Kr. 52,51
25 - 45Kr. 9,964Kr. 49,82
50 - 120Kr. 8,976Kr. 44,88
125 - 245Kr. 8,078Kr. 40,39
250 +Kr. 7,69Kr. 38,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-8467
Producentens varenummer:
STD8N65M5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

710V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Effektafsættelse maks. Pd

70W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.17mm

Længde

6.6mm

Bredde

6.2 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Disse enheder er N-kanal MDmesh™ V Power MOSFET'er baseret på en innovativ vertikal procesteknologi, som kombineres med STMicroelectronics' velkendte PowerMESH™ horisontale layoutstruktur. Det resulterende produkt har ekstremt lav modstand, hvilket ikke findes blandt silikonebaserede Power MOSFET'er, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og enestående effektivitet.

Verdens bedste RDS-område (til)

Højere VDSSrating

Høj DV/DT kapacitet

Fremragende skifteevne

Nem at køre

Anvendelsesområder

Skift af programmer

Relaterede links