STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 710 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 188-8467
- Producentens varenummer:
- STD8N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 117,59
(ekskl. moms)
Kr. 146,99
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 23,518 | Kr. 117,59 |
| 50 - 120 | Kr. 21,154 | Kr. 105,77 |
| 125 + | Kr. 17,324 | Kr. 86,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8467
- Producentens varenummer:
- STD8N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 710V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 2.17mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 710V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 2.17mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Disse enheder er N-kanal MDmesh™ V Power MOSFET'er baseret på en innovativ vertikal procesteknologi, som kombineres med STMicroelectronics' velkendte PowerMESH™ horisontale layoutstruktur. Det resulterende produkt har ekstremt lav modstand, hvilket ikke findes blandt silikonebaserede Power MOSFET'er, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og enestående effektivitet.
Verdens bedste RDS-område (til)
Højere VDSSrating
Høj DV/DT kapacitet
Fremragende skifteevne
Nem at køre
Anvendelsesområder
Skift af programmer