STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STP12NM50

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 198,37

(ekskl. moms)

Kr. 247,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 975 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 39,674Kr. 198,37

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-8473
Producentens varenummer:
STB12NM50T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

TO-263

Serie

STP12NM50

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

350mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Min. driftstemperatur

-65°C

Effektafsættelse maks. Pd

160W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.4mm

Højde

4.37mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.35 mm

Bilindustristandarder

Nej

MDmesh™ er en ny revolutionerende MOSFET-teknologi, der forbinder Multi-Drain-processen med virksomhedens horisontale PowerMESH™-layout. Det resulterende produkt har en enestående lav modstand, imponerende høj dv/dt og fremragende lavine-egenskaber. Anvendelsen af virksomhedens egen stripteknik giver en samlet dynamisk præstation.

Høj dv/dt og lavine-funktionalitet

Lav indgangskapacitet og gate-opladning

Stram processtyring og høj produktionsudbytte

Lav indgangsmodstand for gate

Anvendelsesområder

Skift program

Relaterede links