STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 12 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STP12NM50
- RS-varenummer:
- 188-8473
- Producentens varenummer:
- STB12NM50T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 198,37
(ekskl. moms)
Kr. 247,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 940 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 39,674 | Kr. 198,37 | - |
| 50 - 120 | Kr. 34,238 | Kr. 171,19 | 13% |
| 125 + | Kr. 27,534 | Kr. 137,67 | 30% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8473
- Producentens varenummer:
- STB12NM50T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | STP12NM50 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Højde | 4.37mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie STP12NM50 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.35mm | ||
Højde 4.37mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MDmesh™ er en ny revolutionerende MOSFET-teknologi, der forbinder Multi-Drain-processen med virksomhedens horisontale PowerMESH™-layout. Det resulterende produkt har en enestående lav modstand, imponerende høj dv/dt og fremragende lavine-egenskaber. Anvendelsen af virksomhedens egen stripteknik giver en samlet dynamisk præstation.
Høj dv/dt og lavine-funktionalitet
Lav indgangskapacitet og gate-opladning
Stram processtyring og høj produktionsudbytte
Lav indgangsmodstand for gate
Anvendelsesområder
Skift program
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-263, STP12NM50
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-263 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 200 V Forbedring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 600 V Forbedring TO-263, STB
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 200 V Forbedring TO-263, STripFET