STMicroelectronics, MOSFET Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 188-8476
- Producentens varenummer:
- STGP8NC60KD
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 52,21
(ekskl. moms)
Kr. 65,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,221 | Kr. 52,21 |
| 100 - 490 | Kr. 4,338 | Kr. 43,38 |
| 500 - 990 | Kr. 4,279 | Kr. 42,79 |
| 1000 - 4990 | Kr. 4,226 | Kr. 42,26 |
| 5000 + | Kr. 4,174 | Kr. 41,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8476
- Producentens varenummer:
- STGP8NC60KD
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT anvender Advanced PowerMESH™-processen, hvilket resulterer i en fremragende afkobling mellem skifteevne og lav tilstand.
Lavere spændingsfald (VCE(sat))
Meget blød ultrahurtig genindvindingsantiparallel diode
Lavere CRES/CICIES ratio (ingen følsomhed over for krydskonduktioner)
Kortslutning kan modstå tid 10 μs
Anvendelsesområder
Højfrekvente motorstyringer
SMPS og PFC i både hård kontakt og resonante topologier
Motordrev