STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 188-8491P
- Producentens varenummer:
- STL40DN3LLH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 528,10
(ekskl. moms)
Kr. 660,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 5,281 |
| 500 - 990 | Kr. 4,323 |
| 1000 - 2990 | Kr. 4,271 |
| 3000 + | Kr. 4,219 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8491P
- Producentens varenummer:
- STL40DN3LLH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | STripFET | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.2mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie STripFET | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.2mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Denne enhed er en N-kanal Power MOSFET, der er udviklet vha. STMicroelectronics' STripFET™ H5-teknologi. Enheden er optimeret til at opnå meget lav modstand i tændt tilstand, hvilket bidrager til en FOM, der er blandt de bedste i sin klasse.
Lav modstand ved tændt
Kraftig lavine-robusthed
Lavt effekttab i gate-drev
Flankepakke, der kan fugtes
Anvendelsesområder
Skift af programmer