STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 128,88

(ekskl. moms)

Kr. 161,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 770 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 64,44Kr. 128,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-8512
Producentens varenummer:
STB43N65M5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

630mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

70W

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.35 mm

Højde

4.37mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne enhed er en N-kanal Power MOSFET baseret på den innovative vertikale procesteknologi MDmesh™ M5 kombineret med det velkendte PowerMESH™ horisontale layout. Det resulterende produkt har ekstremt lav modstand, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver høj effekt og overlegen effektivitet.

Ekstremt lav RDS (til)

Lav gate-opladning og indgangskapacitet

Fremragende skifteevne

Anvendelsesområder

Skift af programmer

Relaterede links