STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold 2 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 127,31

(ekskl. moms)

Kr. 159,138

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 768 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 01. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
2 +Kr. 63,655

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-8512P
Producentens varenummer:
STB43N65M5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

630mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

70W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.37mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne enhed er en N-kanal Power MOSFET baseret på den innovative vertikale procesteknologi MDmesh™ M5 kombineret med det velkendte PowerMESH™ horisontale layout. Det resulterende produkt har ekstremt lav modstand, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver høj effekt og overlegen effektivitet.

Ekstremt lav RDS (til)

Lav gate-opladning og indgangskapacitet

Fremragende skifteevne

Anvendelsesområder

Skift af programmer