STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263

Der er mulighed for mængderabat

Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 547,90

(ekskl. moms)

Kr. 684,875

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
25 - 45Kr. 21,916
50 - 120Kr. 20,75
125 - 245Kr. 19,598
250 +Kr. 18,70

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-8527P
Producentens varenummer:
STB80NF55-06T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

142nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.37mm

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Power MOSFET er den seneste udvikling af STMicroelectrionis unikke "Single Feature size™" strip-baserede proces. Den resulterende transistor viser ekstremt høj pakketæthed for lav modstand, robuste lavinekarakteristika og mindre kritiske justeringstrin, hvilket er en bemærkelsesværdig reproducerbarhed i produktionen.

Fremragende dv/dt-funktionalitet

Anvendelsesorienteret karakteristik

Anvendelsesområder

Skift program

Anvendelsesområder

Skift program