STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 188-8550P
- Producentens varenummer:
- STD11N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 436,00
(ekskl. moms)
Kr. 545,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.105 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 245 | Kr. 8,72 |
| 250 - 495 | Kr. 7,788 |
| 500 + | Kr. 6,688 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8550P
- Producentens varenummer:
- STD11N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 420mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.17mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 420mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.17mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den giver meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Lav modstand ved tændt
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet
Anvendelsesområder
Skift af programmer