STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 188-8550P
- Producentens varenummer:
- STD11N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 49,54
(ekskl. moms)
Kr. 61,925
(inkl. moms)
Tilføj 55 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 2.175 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 + | Kr. 9,908 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8550P
- Producentens varenummer:
- STD11N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 420mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.17mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 420mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.17mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den giver meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Lav modstand ved tændt
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet
Anvendelsesområder
Skift af programmer