onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 376 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, NTMTS001N06C
- RS-varenummer:
- 189-0331
- Producentens varenummer:
- NTMTS001N06CTXG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 56,92
(ekskl. moms)
Kr. 71,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 28,46 | Kr. 56,92 |
| 20 - 198 | Kr. 24,535 | Kr. 49,07 |
| 200 - 998 | Kr. 21,28 | Kr. 42,56 |
| 1000 - 1998 | Kr. 18,665 | Kr. 37,33 |
| 2000 + | Kr. 17,015 | Kr. 34,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 189-0331
- Producentens varenummer:
- NTMTS001N06CTXG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 376A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | NTMTS001N06C | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 910μΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 113nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 244W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bredde | 8 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 376A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie NTMTS001N06C | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 910μΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 113nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 244W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 1.15mm | ||
Bredde 8 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Lille sokkel (8 x 8 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Disse enheder er blyfri, halogenfri/BFR-fri
Typiske anvendelser
Elværktøj, batteridrevne støvsugere
UAV/dronninger, materialehåndtering
BMS/Storage, Home Automation
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 376 A 60 V Forbedring PQFN, NTMTS001N06C
- onsemi Type N-Kanal 235 A 60 V Forbedring PQFN, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 103 A 60 V Forbedring PQFN, NTTF
- onsemi Type N-Kanal 224 A 60 V Forbedring PQFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 60 A 30 V Forbedring PQFN-39, NCP303160A
- onsemi Type N-Kanal 124 A 100 V Forbedring PQFN, FDMS86181
- onsemi Type N-Kanal 32 A 80 V Forbedring PQFN, NTMFS006N08MC
- onsemi Type N-Kanal 31 A 150 V Forbedring PQFN, NTMFS
