Wolfspeed Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, C3M Nej C3M0075120J

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 5.419,10

(ekskl. moms)

Kr. 6.773,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 50 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 108,382Kr. 5.419,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:
192-3373
Producentens varenummer:
C3M0075120J
Brand:
Wolfspeed
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Wolfspeed

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-263

Serie

C3M

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

113.6W

Portkildespænding maks.

19 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Gennemgangsspænding Vf

4.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.23mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.12 mm

Højde

4.57mm

Bilindustristandarder

Nej

Wolfspeed udvider sin førerposition inden for SiC-teknologi ved at introducere Advanced SiC MOSFET-teknologi i ny diskret emballage med lav selvinduktion. De nyligt lancerede pakker giver ingeniører mulighed for at udnytte de højfrekvente egenskaber ved de nyeste C3MTM planar MOSFET-chips. Designere kan reducere antallet af komponenter ved at skifte fra silikonebaserede topologier med tre niveauer til mere enkle topologier med to niveauer, der er gjort mulige med den forbedrede skiftekapacitet. Denne enhed har lav modstand kombineret med en lav gate-opladning, hvilket gør den ideel til 3-fasede, brudsikre PFC-topologier samt AC-AC-konvertere og opladere.

Mindst 1200 V Vbr over hele driftstemperaturområdet

Nyt lavimpedans-hus med driverkilde

>7 mm krybeafstand/frigang mellem afløb og kilde

High-speed switching med lav udgangskapacitet

Høj blokeringsspænding med lav RDS(on)

Hurtig egensikker diode med lav omvendt genoprettelse (Qrr)

Nemt at forbinde parallelt og enkle at drive

Relaterede links