STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STB
- RS-varenummer:
- 192-4936P
- Producentens varenummer:
- STB18N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.017,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.271,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 20,346 |
| 125 + | Kr. 16,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 192-4936P
- Producentens varenummer:
- STB18N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | STB | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 4.37mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie STB | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 4.37mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Den nye MDmesh M6-teknologi inkorporerer de seneste fremskridt i den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. områdeforbedring med en af de mest effektive skifteegenskaber, der er tilgængelige, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.
Reduceret skiftetab
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav indgangsmodstand for gate
Zener-beskyttet