STMicroelectronics 1 Type N, Type N-Kanal Enkelt, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, Mdmesh M6
- RS-varenummer:
- 192-5002P
- Producentens varenummer:
- STF18N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 437,60
(ekskl. moms)
Kr. 547,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 17,504 |
| 50 - 120 | Kr. 16,59 |
| 125 - 245 | Kr. 15,648 |
| 250 + | Kr. 14,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 192-5002P
- Producentens varenummer:
- STF18N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering, Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.8nC | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 16.4mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering, Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.8nC | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 16.4mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Den nye MDmeshTM M6-teknologi indeholder de nyeste fremskridt i den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder gennem sin nye M6-teknologi, der kombinerer fremragende RDS(on) pr. områdeforbedring med en af de mest effektive switching-adfærd, der findes, samt en brugervenlig oplevelse for maksimal effektivitet i slutanvendelsen.
Reduktion af skiftetab
Lavere RDS(on) pr. område i forhold til tidligere generation
Lav gate-indgangsmodstand
Zener-beskyttet