STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD5N
- RS-varenummer:
- 193-5390P
- Producentens varenummer:
- STD5N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 125 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 454,00
(ekskl. moms)
Kr. 567,50
(inkl. moms)
Tilføj 150 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 125 - 225 | Kr. 3,632 |
| 250 - 600 | Kr. 3,27 |
| 625 + | Kr. 3,249 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 193-5390P
- Producentens varenummer:
- STD5N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STD5N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.55Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Højde | 2.2mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STD5N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.55Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Højde 2.2mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den tilbyder meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Lav modstand ved tændt
Ekstrem høj dv/dt-kapacitet
Zener-beskyttet