onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, FCMT Nej FCMT360N65S3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 288,68

(ekskl. moms)

Kr. 360,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.980 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 14,434Kr. 288,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-2503
Producentens varenummer:
FCMT360N65S3
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

FCMT

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

360mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

8mm

Højde

1.05mm

Bredde

8 mm

Bilindustristandarder

Nej

SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne teknologi er skræddersyet til at minimere ledetab, give overlegen skifteevne, dv/dt-hastighed og højere lavalanche-energi. Derfor er SUPERFET III MOSFET meget velegnet til switching-anvendelser som f.eks. server/telekommunikation, adapter og solcellesystemer. Power88-pakken er et ultraslankt overflademonteret hus (1 mm højt) med lav profil og lille bundareal (8 * 8 mm2). SUPERFET III MOSFET i et Power88-hus giver fremragende skifteevne på grund af lavere parasitisk kilderselvinduktion og separate strøm- og drevkilder.

Relaterede links