onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 74 A 80 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101 NVMFD6H840NLT1G

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 95,385

(ekskl. moms)

Kr. 119,235

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.985 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 +Kr. 6,359Kr. 95,39

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-2669
Producentens varenummer:
NVMFD6H840NLT1G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

74A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

175°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32nC

Portkildespænding maks.

20 V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

-55°C

Bredde

5.1 mm

Længde

6.1mm

Højde

1.05mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Bilstrøm MOSFET i et 3 x 3 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.

Lille format (5 x 6 mm)

Kompakt design

Lav RDS(on)

Minimere konduktive tab

Lav QG og kapacitet

Minimer drivertab

NVMFS5C410NLWF - Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr

Forbedret optisk inspektion

PPAP-kapacitet

Anvendelse

Beskyttelse mod omvendt batteritilslutning

Switch-mode strømforsyninger

Strømkontakter (højside driver, lavside driver, H-broer osv.)

Relaterede links