onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 313 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 195-8978
- Producentens varenummer:
- NVMFSC0D9N04C
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 195-8978
- Producentens varenummer:
- NVMFSC0D9N04C
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 313A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.87mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 166W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 86nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.1mm | |
| Højde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 313A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.87mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 166W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 86nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.1mm | ||
Højde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
On Semiconductor dobbelt N-kanal MOSFET med kold effekt i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydelse. I denne flanke-funktion, der kan nulstilles, kan fås til forbedret optisk inspektion.
Advanced dual-sidet afkølet emballage
Kompakt design med lille bundareal
Ultralav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 313 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 313 A 40 V Forbedring DFN
- onsemi Type N-Kanal 433 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 337 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 316 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 477 A 60 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 110 A 80 V Forbedring DFN, NVM AEC-Q101