STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 5 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 494,45

(ekskl. moms)

Kr. 618,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 843 enhed(er) afsendes fra 24. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
5 - 9Kr. 98,89
10 - 24Kr. 96,34
25 - 49Kr. 93,87
50 +Kr. 91,56

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
201-0860P
Producentens varenummer:
SCTW35N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTW35

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Driftstemperatur maks.

200°C

Længde

14.8mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

15.75mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 45 A og drain til kildemodstand på 45 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet