STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 95 A 650 V Udtømning, 7 Ben, H2PAK, SCT
- RS-varenummer:
- 202-5481P
- Producentens varenummer:
- SCTH100N65G2-7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 9.492,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.865,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 99 | Kr. 189,84 |
| 100 - 249 | Kr. 184,91 |
| 250 - 499 | Kr. 180,12 |
| 500 + | Kr. 177,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5481P
- Producentens varenummer:
- SCTH100N65G2-7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 95A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.02Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.8V | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 162nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 95A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.02Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.8V | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 162nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet