STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Udtømning, 7 Ben, H2PAK, SCT
- RS-varenummer:
- 202-5486P
- Producentens varenummer:
- SCTW100N65G2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.916,40
(ekskl. moms)
Kr. 2.395,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 24 | Kr. 191,64 |
| 25 + | Kr. 187,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5486P
- Producentens varenummer:
- SCTW100N65G2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.105Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 420W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 162nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 34.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.105Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 420W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 162nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 34.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet