STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Udtømning, 3 Ben, TO-263, ST
- RS-varenummer:
- 202-5496P
- Producentens varenummer:
- STB33N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 18%
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 723,30
(ekskl. moms)
Kr. 904,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 996 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 36,165 | - |
| 50 + | Kr. 29,62 | 18% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5496P
- Producentens varenummer:
- STB33N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | ST | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.115Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.85mm | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie ST | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.115Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.85mm | ||
Bredde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af MDmesh™ DM6 serien af hurtige gendannelsesdioder. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DM6 en meget lav gendannelsesafgift (Qrr), restitutionstid (trr) og en fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet.
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet