STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Udtømning, 3 Ben, TO-247, ST
- RS-varenummer:
- 202-5554
- Producentens varenummer:
- STWA70N65DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 150 flere for at gemme Kr. 775,95
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 2.463,90
(ekskl. moms)
Kr. 3.079,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 82,13 | Kr. 2.463,90 | - |
| 150 + | Kr. 76,957 | Kr. 2.308,71 | Kr. 775,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5554
- Producentens varenummer:
- STWA70N65DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 68A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | ST | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.036Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 125nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 450W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Højde | 41.2mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 68A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie ST | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.036Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 125nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 450W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1mm | ||
Højde 41.2mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM6 serien af hurtige gendannelsesdioder. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DM6 en meget lav gendannelsesafgift (Qrr), restitutionstid (trr) og en fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet.
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 68 A 650 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics N-Kanal 52 A 600 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics N-Kanal 39 A 600 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics N-Kanal 62 A 600 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics N-Kanal 38 A 600 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 600 V Udtømning TO-220, ST
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 600 V Udtømning TO-220, ST