onsemi 1 Type N-Kanal N-kanal, MOSFET, 60 A 40 V Forbedring, 12 Ben, WQFN, NTTF
- RS-varenummer:
- 202-5718
- Producentens varenummer:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 289,475
(ekskl. moms)
Kr. 361,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 7.225 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 11,579 | Kr. 289,48 |
| 100 - 225 | Kr. 9,981 | Kr. 249,53 |
| 250 + | Kr. 8,65 | Kr. 216,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5718
- Producentens varenummer:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | WQFN | |
| Serie | NTTF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 26W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.78V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 3.3mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype WQFN | ||
Serie NTTF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 26W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.78V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 3.3mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor symmetrisk dobbelt N-kanal MOSFET indeholder to specialiserede N-kanal MOSFET'er i et dobbelt hus. Switchnoden er blevet tilsluttet internt for at muliggøre nem placering og føring af synkrone buck-konvertere. Den bruges i computere, kommunikation, allround Point of Load-applikationer.
Emballage med lav selvinduktion
Lavere skiftetab
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi 1 Type N-Kanal N-kanal 60 A 40 V Forbedring WQFN, NTTF
- onsemi 1 Type N-Kanal Dual N 38 A 60 V Forbedring WQFN, NTTF
- onsemi Type N-Kanal 103 A 60 V Forbedring PQFN, NTTF
- onsemi Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring PQFN, NTTF
- onsemi Type N-Kanal 84 A 80 V Forbedring PQFN, NTTF
- onsemi Type P-Kanal 96 A 30 V Udtømning PQFN, NTTF
- onsemi Type N-Kanal 21 A 60 V Forbedring LFPAK, NTMYS025N06CL
- onsemi Type N-Kanal 250 A 60 V Forbedring LFPAK, NTMJS1D6N06CL